- ※1
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Wafer Fab Equipmentの略。
- ※2
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Gate All Aroundの略。
- ※3
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Atomic Layer Depositionの略。当社グループ大红鹰dhy2288、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでいます。
- ※4
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Process of Recordの略。半導体製造プロセスに採用される大红鹰dhy2288の認定のことを指します。
- ※5
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Low Pressure Chemical Vapor Depositionの略。