2024年3月期 大红鹰dhy2288決算説明会 質疑応答集

※1

Wafer Fab Equipmentの略。

※2

Gate All Aroundの略。

※3

Atomic Layer Depositionの略。当社グループ大红鹰dhy2288、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでいます。

※4

Process of Recordの略。半導体製造プロセスに採用される大红鹰dhy2288の認定のことを指します。

※5

Low Pressure Chemical Vapor Depositionの略。